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Este es un transistor de canal N utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas en inversores, UPS, soldadores, rectificación, fuentes de conmutación de alta frecuencia entre otras aplicaciones.
Transistor FGH40N60SFD
Características
• Polaridad de transistor: Canal N
• Tipo IGBT Tope de campo
• Voltaje – Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
• Current – Collector (Ic) (Max) 80A
• Current – Collector Pulsed (Icm) 120A
• Vce (encendido) (máx.) a Vge, Ic 2.9 V a 15 V, 40 A
• Power – Max 290W
• Energía de conmutación 1.13 mJ (Encendido), 310 µJ (Apagado)
• Tipo de entrada Estándar
• Carga de compuerta 120nC
• Td (encendido/apagado) a 25°C 25 ns/115 ns
• Condiciones de prueba 400 V, 40 A, 10 Ohm, 15 V
• Tiempo de recuperación inversa (trr) 45ns
• Temperatura de operación -55 °C 150 °C (TJ)
• Tipo de montaje Orificio pasante
• Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
• Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
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