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2SA1943 Transistor BJT PNP es capaz de disipar hasta 150W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 15A o que requieran tensiones de hasta 230VDC.
Su juntura es PNP, con un factor de amplificación hFE que varía de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 35 y 160.
Dispositivo diseñado para etapas de salida de sonido en amplificadores de frecuencia de audio de alta fidelidad de 100W.
Cantidad:
• 1 Unidad – Transistor Bipolar 2SA1943 BJT PNP
Características:
• Fabricante: Toshiba
• Categoría : Transistor Bipolar BJT
• Empaquetado: Through Hole TO-3P-3
• Polaridad del transistor: PNP
• Configuración: Simple
• Máx voltaje VCEO colector-emisor: -230V
• Tensión VCBO colector- base: -230V
• Voltaje VEBO emisor-base: -5V
• Voltaje de saturación colector-emisor: -1.5V
• Corriente CC máxima de colector : -15 A
• Dp- Distancia de potencia : 150W
• Producto para ganar Ancho de banda fT : 30MhZ
• Temperatura de funcionamiento: – a 150 C
• Colector DC/ganancia Base hfe Mínima: 55
• Máx. ganancia de CC hfE: 160
• Dimensiones: 26mm x 20.5mm x 5.2mm
• Peso: 6,756 g
Aplicación:
• Robótica.
• Switch.
• Amplificador.
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