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Silicon N Channel IGBT
High Speed Power Switching
Features
•High speed switching
•Low on-state voltage
•Fast recovery diode
* Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
* Built in fast recovery diode in one package
* Trench gate and thin wafer technology
* High speed switching
tf = 74 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ohm,
Ta = 25°C, inductive load)
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IGBT de canal N de silicio
Conmutación de energía de alta velocidad
Características
•Conmutación de alta velocidad
• Bajo voltaje en estado activo
•Diodo de recuperación rápida
* Bajo voltaje de saturación de colector a emisor
VCE(sat) = 1,35 V típ. (a IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
* Diodo de recuperación rápida incorporado en un solo paquete
* Puerta de trinchera y tecnología de obleas delgadas
* Conmutación de alta velocidad
tf = 74 ns típ. (a IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 ohmios,
Ta = 25°C, carga inductiva).
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