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RD15HVF1 TRANSISTOR PARA RF
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RD15HVF1 es un transistor tipo MOS FET específicamente diseñado para aplicaciones de amplificadores de alta potencia VHF / UHF. Alta potencia y alta ganancia: Pout 15 W, Gp 14 dB @ Vds = 12.5 V, f = 175 MHz Alta Eficiencia: 60% (típico) en la banda VHF Diodo de protección integrado de la puerta. Para etapa de salida de amplificadores de alta potencia en equipos de radio móvil de banda VHF / UHF.
CARACTERISTICAS:
Vdss Drene a la fuente de voltaje Vgs = 0V 30 V
Vgss Gate a voltaje de fuente Vds = 0V -5 a +10 V
Disipación del canal Pch Tc = 25 ° C 48 W
Potencia de entrada de pin Zg = Zl = 50 1.5 W
Ids Drain current - 4 A
Tch Temperatura del canal - 150 ° C
Temperatura de almacenamiento Tstg - -40 a +150 ° C
Rth j-c Unión de resistencia térmica a carcasa 2.6 ° C / W
ESPECIFICACIONES:
Referencia de producto: RD15HVF1
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Tienda Virtual: UPARTRONICA
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