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Fabricante ON Semiconductor
Serie –
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 24 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 50 mOhm a 12 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 35nC @ 5V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1590pF @ 10V
Característica de FET –
Disipación de potencia (máx.) 60 W (Tc)
Temperatura de operación -65 °C 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
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