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PRECIO PUBLICADO POR UNIDAD

Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de canal de control: canal N
Disipación de potencia máxima (Pd): 200 W
Tensión máxima drenaje-fuente |Vds|: 100 V
Tensión máxima puerta-fuente |Vgs|: 20 V
Tensión máxima de umbral de puerta |Vgs(th)|: 4 V
Corriente máxima de drenaje |Id|: 57 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 C
Carga total de la puerta (Qg): 130 (máx.) nC
Tiempo de subida (tr): 58 nS
Capacitancia de fuente de drenaje (Cd): 410 pF
Resistencia máxima en estado activo de la fuente de drenaje (Rds): 0,023 ohmios
Paquete: TO220AB
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