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TK15A60D
N-Channel MOSFET Transistor
FEATURES
·Lowdrain-sourceon-resistance:
RDS(ON)=370mOhm(MAX)
·Enhancement mode:
Vth=2to4V(VDS=10V,ID=1.0mA)
·100%avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation
DESCRITION
·SwitchingVoltageRegulators
CARACTERÍSTICAS
·Fuente de drenaje bajo en resistencia:
RDS (ENCENDIDO) = 370 mOhm (MÁX.)
·Modo de mejora:
Vth=2to4V(VDS=10V, ID=1.0mA)
·100%probado contra avalanchas
·Variaciones mínimas de lote a lote para un rendimiento robusto del dispositivo y una operación confiable
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