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Fqp13n50c Fqp13n50 13n50 13n50c Fsc 13a A 220 500v Mosfet
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El transistor 13N50C es un dispositivo de potencia utilizado en aplicaciones de alta corriente y voltaje. Algunas de sus principales características incluyen:
Tipo: Es un transistor de potencia MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) de canal N. Esto significa que tiene un canal de conducción de electrones de tipo N y es controlado por un campo eléctrico.
Rango de potencia: El 13N50C puede manejar hasta 500 vatios de potencia en continua y hasta 1.2 kilovatios de potencia en pulsos.
Rango de voltaje: El transistor puede soportar hasta 500 voltios de diferencial de potencial entre el terminal de drenaje y el terminal de fuente.
Rango de corriente: El 13N50C puede soportar hasta 13 amperios de corriente en continuo y hasta 50 amperios de corriente en pulsos.
Dissipación de calor: El transistor tiene una capacidad de disipación de calor de hasta 100 grados Celsius, lo que significa que puede soportar altas temperaturas sin dañarse.
Montaje: El 13N50C se monta en un paquete de superficie plana para facilitar su instalación y para mejorar la transferencia de calor.
Aplicaciones: Este transistor se utiliza comúnmente en aplicaciones de alta potencia, como la alimentación de motores, la conversión de energía y el control de carga. También se utiliza en aplicaciones de alta frecuencia, como los amplificadores de RF.
• Fabricante: Fairchild
. Código: FQPF13N50C
– Marking: FQPF 13N50C
• Descripción:
Transistor Mosfet de Potencia canal N
– Tensión Drain – Source: 500v
– Tensión Gate. Source: +/-30v
– Corriente de Drain: 13A
– Corriente pulsada: 52A
– Potencia: 48W
– RDS(on) típico: 0,39 ohm
– Tiempo de encendido típico: 25ns
– Encapsulado: TO-220 Plástico
• Aplicaciones:
– Fuentes de alimentación
– Inverters
– Balastos electrónicos
– Monitor LCD / TV / Proyectores
Manufacturer: ON Semiconductor
Product Category: MOSFET
RoHS: Details
Technology: Si
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-220FP-3
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: 500 V
Id – Continuous Drain Current: 13 A
Rds On – Drain-Source Resistance: 540 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage: 30 V
Minimum Operating Temperature: – 55 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Configuration: Single
Pd – Power Dissipation: 48 W
Channel Mode: Enhancement
Tradename: QFET
Height: 16.07 mm
Length: 10.36 mm
Series: FQPF13N50CF
Transistor Type: 1 N-Channel
Type: MOSFET
Width: 4.9 mm
Brand: ON Semiconductor / Fairchild
Forward Transconductance – Min: 15 S
Fall Time: 100 ns
Product Type: MOSFET
Rise Time: 100 ns
Subcategory: MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time: 130 ns
Typical Turn-On Delay Time: 25 ns
Unit Weight: 0.080072 oz
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