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APM4953
Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Features
• -30V/-4.9A, RDS(ON) = 53m Ohm(typ.) @ VGS = -10V RDS(ON) = 80m Ohm(typ.) @ VGS = -4.5V.
• Super High Density Cell Design.
• Reliable and Rugged.
• SO-8 Package.
Applications
• Power Management in Notebook Computer, Portable Equipment and Battery Powered Systems.
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APM4953
MOSFET de modo de mejora de doble canal P
Características
• -30 V/-4,9 A, RDS (ENCENDIDO) = 53 m Ohm (típ.) @ VGS = -10 V RDS (ENCENDIDO) = 80 m Ohm (típ.) @ VGS = -4,5 V.
• Diseño de Celda de Súper Alta Densidad.
• Confiable y Robusto.
• Paquete SO-8.
Aplicaciones
• Administración de Energía en Computadoras Portátiles, Equipos Portátiles y Sistemas Alimentados por Baterías.
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