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AON6992 N Channel Dual QFN8
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Número de Parte: AON6992
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 21 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 50 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.2 V
Tiempo de elevación (tr): 11 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 340 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0052 Ohm
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