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Aod9n40 D9n40 Mosfet 400v 8a 125w To-252 Blister Original
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Categorías Productos semiconductores discretos
Transistores – FET, MOSFET – Simple
Fabricante Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie –
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 400V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 800mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 16nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 760pF @ 25V
Característica de FET –
Disipación de potencia (máx.) 125W (Tc)
Temperatura de operación -50°C 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252, (D-Pak)
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
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