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Estos transistores están diseñados para uso en aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas, conversores DC a DC, controladores de motor PWM, circuitos de puente y aplicaciones de conmutación de uso general. El Mosfet 2N7000 cuenta con una capacidad de 350 mA, baja capacitancia de entrada y carga de puerta, baja resistencia de entrada de puerta. -Características --Polaridad del transistor:---Canal N---Voltaje entre drenaje y fuente (Vds):---60 VDC---Corriente continua de drenaje (Id):---350 mA---Resistencia en drenaje y fuente (Rds):---1.2 mOhm---Voltaje entre puerta y fuente (Vgs):----20 a 20 VDC---Temperatura de trabajo:----55º C a 150º C---Empaquetado:---TO-92-3---Montaje:---Through Hole--Documentos-Hoja de datos transistor Mosfet 2N7000-Contenido del paquete-1x Transistor Mosfet 2N7000 60V 350 mA TO-92
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