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4 UNIDADES 60T65PES MBQ60T65PES IGBT 60A 650V TO-247
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Este IGBT se produce utilizando la tecnología de segunda generación Field Stop Trench IGBT de MagnaChip, que no solo es la más eficiente capaz de cambiar el comportamiento, sino también su alta robustez y excelente calidad para aplicaciones de inversores solares, UPS, IH, soldador y PFC donde baja las pérdidas de conducción son esenciales
CARACTERISTICAS:
Voltaje colector-emisor VCE 650 V
Conmutación de alta velocidad y baja pérdida de potencia
VCE (sat) = 1,85 V @ IC = 60A
Eoff = 0.53mJ @ TC = 25 ° C
Alta impedancia de entrada
Trr = 110ns (típ.) @ DiF / dt = 500A / µs
Temperatura máxima de unión 175 ° C
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