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Description:
This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge.It can be used in a wide variety of applications.
Features:
1)VDS=600V, ID=20A, RDS(ON)<0.4Ohm@VGS=10V
2)Low gate charge.
3)Green device available.
4)Advanced high cell denity trench technology for ultra Iow RDS(ON).
5)Excellent package for good heat dissipation
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Descripción:
Este MOSFET de N-Channel utiliza tecnología y diseño avanzados de trincheras para proporcionar un excelente RDS (ON) con carga de puerta baja. Puede usarse en una amplia variedad de aplicaciones.
Características:
1) VDS = 600V, ID = 20A, RDS (ON) <0.4Ohm@vgs=10v
2) Carga de puerta baja.
3) Dispositivo verde disponible.
4) Tecnología avanzada de zanjas de desnacionalización de células altas para Ultra Iow RDS (ON).
5) Excelente paquete para una buena disipación de calor.
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