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2N5551 Transistor NPN TO92 x 20un.
Transistor NPN de alto voltaje. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 6 V, fT: 100 MHz, TO-92
Características
Transistor Bipolar BJT NPN de alto voltaje
Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
IC: 600 mA max.
PD: 625 mW max.
VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 6 V, max.
hFE: 80 min. a IC=1 mA, VCE=5 V
fT: 100 MHz mínimo
VCEsat: 0.2 V max. a IC = 50 mA
Encapsulado: TO-92
Complementarios: 2N5400
Más información
Hoja de datos Datasheet
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Recuerda que estamos atentos a contestar todas tus inquietudes.
GARANTÍA: Garantía de 30 días únicamente por defectos de fábrica (No cubre golpes, humedad, productos abiertos o alterados del estado de fábrica, cortocircuitos, indebida manipulación debido a desconocimiento técnico).
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