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Características Principais:
Tipo: Transistor Bipolar de Junção (BJT)
Número da Peça: C122F1
Encapsulamento: TO-92
Polaridade: NPN
Tensão Coletor-Base (V_CBO): 50V
Tensão Coletor-Emissor (V_CEO): 50V
Tensão Emissor-Base (V_EBO): 5V
Corrente Coletor Contínua (I_C): 0.1A
Potência Dissipada (P_T): 0.3W
Ganho de Corrente (h_FE): 40 a 800 (dependendo da corrente de coletor)
Frequência de Transição (f_T): 100 MHz (mínimo)
Tempo de Subida (t_r): 35 ns (máximo)
Tempo de Descida (t_f): 35 ns (máximo)
Temperatura de Operação (T_j): -55°C a +150°C
Características Elétricas (Valores Típicos):
V_CE(sat): 0.5V (I_C = 50 mA, I_B = 5 mA)
Capacitância de Entrada (C_ie): 35 pF (V_CB = 10 V, I_E = 0, f = 1 MHz)
Capacitância de Saída (C_oe): 6 pF (V_CB = 10 V, I_E = 0, f = 1 MHz)
Ganho de Tensão (V_CE = 6 V, I_C = 2 mA, f = 1 kHz): 100 a 300
Aplicações Típicas:
Amplificadores de baixa potência
Circuitos de comutação
Aplicações de alta frequência até 100 MHz
Circuitos de controle e sensoriamento
Diagrama de Pinos:
Emissor (E)
Base (B)
Coletor (C)
Observações:
O C122F1 é um transistor NPN de uso geral adequado para diversas aplicações de baixa potência.
Devido à sua alta frequência de transição (f_T), é adequado para aplicações em circuitos de alta frequência.
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