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Usando o princípio da barreira Schottky com uma barreira metálica de molibdênio. Essa geometria de última geração apresenta construção epitaxial com passivação de óxido e contato de sobreposição de metal. Ideal para retificação de baixa tensão e alta frequência ou como diodos de roda livre e proteção de polaridade.
* Baixa Tensão Direta.
* Baixo ruído de comutação.
* Alta capacidade atual
* Garantir Avalanche Reversa.
* Anel de proteção para proteção contra estresse.
* Baixa perda de energia e alta eficiência.
* 15°C Temperatura de junção operacional
* Baixa condução de portadora majoritária de carga armazenada.
* O material plástico usado transporta a classificação de inflamabilidade do laboratório dos seguradores 94V-O
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