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Fabricante: onsemi
Categoría de producto: MOSFET
RoHS: Detalles
Tecnología: Si
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Cubierta: SSOT-3
Polaridad del transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 30 V
Id - Corriente de drenaje continua: 2.2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 65 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 8 V, + 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 400 mV
Qg - Carga de puerta: 9 nC
Temperatura de trabajo mínima: - 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Dp - Disipación de potencia : 500 mW
Modo canal: Enhancement
Serie: FDN337N
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Marca: onsemi / Fairchild
Configuración: Single
Tiempo de caída: 10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 13 S
Altura: 1.12 mm
Longitud: 2.9 mm
Producto: MOSFET Small Signal
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 10 ns
3000
Subcategoría: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: FET
Tiempo de retardo de apagado típico: 17 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 4 ns
Ancho: 1.4 mm
Alias de las piezas n.º: FDN337N_NL
Peso de la unidad: 36 mg
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