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Transistor Mosfet Irf640 N-channel 18a 200v To-220 125w

Transistor Mosfet Irf640 N-channel 18a 200v To-220 125w

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***** LAB1 TECHNOLOGIES SA *****

Transistor MOSFET IRF640 tipo N-Channel de alta potencia, encapsulado TO-220

- IRF640-N-Channel-TO-220 -

Este MOSFET IRF640 es un transistor de efecto de campo de potencia, ideal para aplicaciones de conmutación , amplificación y PWM en una variedad de circuitos electrónicos. Con su encapsulado TO-220, este dispositivo ofrece una excelente disipación térmica, lo que lo hace adecuado para proyectos de alta potencia.

Características principales:
- Tipo: MOSFET N-Channel
- Encapsulado: TO-220
- Tensión de drain source (Vds_max): 200V
- Corriente máxima de drain (Id_max): 18A
- Resistencia en estado de encendido (Rds_on): 0.18Ohm
- Charge Gate (Qg): 67 nC
- Aplicaciones: Conmutación de alta potencia, control de motores, fuentes de alimentación conmutadas, amplificadores de audio, y más.

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