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Transistor MOSFET IRF540N
100V - 33A
Descripcion
Mosfet de potencia canal N, de alta eficiencia con una resistencia interna extremadamente baja e incorpora un diodo de recuperaci?n inversa dentro de su estructura. Capaz de funcionar a altas frecuencias de conmutación y utilizado en una gran variedad de aplicaciones.
Caracteristicas:
Voltaje Drain-Source (VDSS): 100 V
Corriente de Drain (ID): 33 A
Encapsulado: TO-220.
Resistencia Drain-Source (RDS on): 44 ohm.
Baja resistencia térmica.
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