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TRANSISTOR IRF510 MOSFET
Fabricante: Vishay / IR
Categoría de producto: MOSFET
RoHS: Detalles
Tecnología: Si
Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: TO-220AB-3
Número de canales: 1 Channel
Polaridad del transistor: N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 100 V
Id - Corriente de drenaje continua: 5.6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 540 mOhms
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: 10 V
Qg - Carga de puerta: 8.3 nC
Temperatura de trabajo mínima: - 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 175 C
Configuración: Single
Dp - Disipación de potencia : 43 W
Modo canal: Enhancement
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Marca: Vishay / Siliconix
Transconductancia hacia delante - Mín.: 1.3 S
Tiempo de caída: 9.4 ns
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 16 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: MOSFETs
Tiempo de retardo de apagado típico: 15 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 6.9 ns
Peso de la unidad: 6g
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