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Transistor Fgh40n60sfd 40n60 Sfd Igbt 600v 40a

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Ubicacion: Rosario, Santa Fe
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Utilizando la novedosa tecnología IGBT de ON semiconductores este igbt ofrece el rendimiento óptimo para cargadores automotrices, inversores y otras aplicaciones donde hay bajas perdidas por conducción y conmutación.

FGH40N60SFD
Tipo: igbt + diodo antiparalelo
Tipo de Canal: N
Disipación maxima de potencia: 290W
Vce: 600V
Vge: 20V
Ic: 40A
Rango de temperatura: -55C a 150C

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