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Tipo Designador: AO4407A
Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de canal de control: P-Channel
Disipación de potencia máxima (Pd): 3.1 W
Voltaje máximo de la fuente de drenaje | Vds |: 30 V
Tensión máxima de puerta-fuente | Vgs |: 25 V
Umbral máximo de umbral de compuerta | Vgs (th) |: 3 V
Corriente de drenaje máxima | Id |: 12 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 ° C
Tiempo de subida (tr): 9.4 nS
Capacidad de drenaje-fuente (Cd): 370 pF
Resistencia máxima en estado de drenaje-fuente (Rds): 0.013 Ohm
Paquete: SO-8
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