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Pack x 5 unidades
Tipo FET: Canal N
Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC: 33 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.): 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id: 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs: 71nC @ 10V
Vgs (máx.): ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds: 1960pF @ 25V
Característica de FET: -
Disipación de potencia (máx.): 130 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C: 44 mOhm a 16 A, 10 V
Temperatura de operación: -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje: Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor: TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa): TO-220-3
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