Anuncios Clasificados
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 150 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 60 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 330 mW (Ta)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5 Ohm a 500 mA, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Anuncios Clasificados