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Tipo FETCanal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 90 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.7 mOhm a 20 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 95nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3800pF @ 15V
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