Anuncios Clasificados
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 29.3nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 939pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 63 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 9 Ohm a 1.3 A, 10 V
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3PF
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3 paquete completo
Anuncios Clasificados