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+++Emitimos solo factura tipo C+++
//Revise el datasheet antes de realizar una compra
//Realice todas las preguntas antes de concretar una compra
//Los componentes electrónicos NO tienen garantía
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Gracias a la tecnología avanzada de segunda generación de Magna chip este Igbt tiene mayor eficiencia, es robusto y con excelente calidad para inversores solares, UPS, aplicaciones IH, Soldadoras y PFC dónde bajas perdidas de conducción son esenciales.
Especificaciones Principales
Transistor 60T65PES
Tipo: transistor + Diodo
Polaridad: N
Maxima potencia disipada Pc: 428W
Tensión maxima colector-emisor Vce: 650V
Tensión maxima puerta - emisor Vge: 20
Colector corriente continua IC: 100A
Voltaje de saturación colector emisor Vce sat: 1.85V
Tensión maxima de puerta umbral V:6
Temperatura máxima de unión: 175C
Tiempo de subida: 54nS
Capacitancia de salida: 270
Paquete cubierta: TO247
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