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IRFP460 Siliconix Power Mosfet Transistor 500V 20A 250W
El transistor es un MOSFET canal N de potencia utilizado en dispositivos switching.
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS:
Disipación total del dispositivo (Pd): 280 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Corriente continua de drenaje (Id): 20 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 59 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 870 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.27 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO247
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