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Igbt N Fgh 60n60 Fgh-60n60 Fgh60n60 Transistor 600v 120a

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Ubicacion: PALERMO, Capital Federal
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Caracteristicas:

• Familia: de transistores Igbt-Single
• Tipo IGBT: Diafragma de campo
• voltaje Colector-Emisor (Máx.): 600 V
• Actual-Colector (Ic) (Máx.): 120A
• Actual-Colector Pulsada (Icm): 180A
• Vce (on) (Máx.) Vge, Ic: 2.5 V @ 15 V, 60A
• Energía-Máxima: 600 W
• Conmutación de la Energía: 1.26mJ (a), 450 y micro; J (off)
• Tipo de entrada: estándar
• Bloquee la Carga: 189nC
• Td (on/off) @ 25 ° C: 18ns/104ns
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