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Está avanzada tecnología de transistores está diseñada para minimizar resistencia en el estado, proporcionando un rendimiento de conmutación superior, soportando altos pulsos de energía en el modo de avalancha y conmutación. Son muy adecuados para para conmutación de alta eficiencia, fuentes de alimentación, corrección activa del factor de potencia, balastro electrónico para lámpara entre otros.
Características principales
Modelo: FQPF12N60C
Polaridad: N
Tipo: MOSFET
Disipación de potencia: 51W
Vds: 600V
Vgs: 30V
Id: 12A
Tj: 150C
Paquete cubierta:TO220
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